半導体・PV Siｳェﾊ ﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾝｸﾞｶﾞｽ濃度測定
●測定対象；半導体・PV Siｳェﾊ ﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾝｸﾞｶﾞｽ濃度測定
●測定対象；成分濃度 0～0.3％
●計測のﾒﾘｯﾄ；半導体・PV Siｳェﾊ ﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾝｸﾞ工程にてガス濃度測定を計測します。装置に材料ガスを流入途中にガス専用の測定用ｾﾙを設置し、ｶﾞｽの各成分を瞬時に計測します。
測定セル内の気体ガスに紫外・可視光を投光し、波長毎の分光透過率を計測し、ガス成分濃度を計測します。
インラインにて連続分光測定が可能で、その場で各ガスの吸収透過率がわかり、吸光度演算による濃度解析が可能です。
各ガス濃度管理により、ﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾝｸﾞ性能維持･向上、混合ミス削減、ガス交換目安管理、使用期間延長などが可能になります。
