半導体ウエハの研磨装置では、サセプタと同じ高さになるまでウエハを研磨することにより所定の厚さにしています。研磨開始直後はウエハとサセプタ間で温度差が生じますが、ウエハがサセプタと同じ高さになると温度の差がなくなります。放射温度計で研磨面の温度を測定することにより、研磨終了の判断が可能となります。