精确的温度控制对于生长高纯度碳化硅晶体极为重要。该方法将红外温度仪放置在碳锅的上方和下方，通过测量窗口直接监测从SiC原料到生长晶体的温度。

• 红外温度仪（带镜）：测量顶部和底部两点的温度，精度高
• 测量窗口、外部监视器：确保可见性并允许使用视频输出图像观察晶体表面
• 设定显示：通过4至20mA连接至PLC系统

这有助于实时了解整个SiC晶体生长过程中的温度分布，从而提高质量并优化生产效率。