Chapter 1
SiC晶体生长中的温度测量
在生长高纯度碳化硅晶体的过程中，精确的温度控制至关重要。在本装置中，红外温度仪分别放置在碳坩埚的上方和下方，并通过测量窗口对碳化硅原料和正在生长的晶体进行温度测量。
从碳坩埚的上下测量
使用放置在SiC原材料和生长晶体上方和下方的红外温度仪测量其温度。
通过观察上下两个点的温度，实时了解整个SiC晶体生长过程的温度分布。
关于半导体制造中的温度管理的想法，在“什么是半导体制造中的温度管理?”中进行了详细的整理。
Chapter 2
温度监测SiC原料和生长中的晶体
在这种配置中，红外温度仪放置在碳坩埚的上方和下方，并通过测量窗口测量物体。
| 测量对象 | 测量、确认的内容 |
|---|---|
| SiC原料 | 使用红外温度仪测量碳坩埚底部的温度。 |
| 生长中的晶体 | 使用红外温度仪测量碳坩埚顶部的温度。 |
| 测量窗口 | 它用于红外温度仪测量和使用视频输出图像进行视觉确认。 |
| 外部监视器 | 查看视频输出图像。 |
Chapter 3
系统配置和连接示例
除了按红外温度仪测量外，它还通过结合测量窗口、外部显示器、配置显示、PLC 系统等进行配置。
| 组件 | 角色 |
|---|---|
| 红外温度仪（带反射镜） | 从上下2点测量SiC原料和成长中的结晶的温度。 |
| 测量窗口 | 它用于配合红外温度仪进行测量，并用于目视确认目标。 |
| 外部监视器 | 我们使用视频输出图像来检查晶体表面和其他特征。 |
| 设定显示 (仅限日本) | 以4~20mA连接到PLC系统。 |
实际配置可能因设施和现有系统的不同而有所差异，因此请在考虑之前检查所需的连接条件。
Further reading
通过资料确认SiC晶体生长的温度测量
关于SiC晶体生长中红外温度仪的放置和测量配置的信息也可以在PDF文档中找到。
在网页上查看测量方法概述，然后查看详细资料。
