Chapter 1
利用超导的硅单晶提升和极低温监视
在硅单晶的提升中，使用各种技术来稳定单晶的质量。在原始页面上，介绍了一种通过使用超导磁体的磁力线来限制热对流并抑制质量下降的方法，例如增加晶片的氧浓度和增加晶体缺陷。
在这些设备中，必须妥善管理低温环境以实现超导。因此，能够稳定测量低温区域的温度传感器非常重要。
本页重点不在于超导技术本身，而在于其相关应用中使用的低温热电阻R800-6 和 R800-7。
Chapter 2
R800-6、R800-7的特点
R800-6 和 R800-7 是低温热电阻，采用铂钴稀合金作为温度传感元件。其主要特点是仅需一个传感器即可测量从低温到室温的温度范围。
Wide range
从极低温到常温测量
R800-6对应4K至375K, R800-7对应15K至375K。可以根据使用的温度范围选择型号。
Accuracy
高精度温度测量
在全部测量范围内具有±0.5的容许差，可进行精密的温度测量。
Structure
热容量小，坚固耐用
是极细金属胶囊形，热容量小，稳定性好的构造。
4-wire
4导线精密测量
采用4导线式，适用于使用直流电位差计等的精密测量。
Calibration
支持组合校对
备有专用指示计、记录计、调节计，可在He点与仪器组合校正。
Construction
考虑极低温用途的构造
采用螺旋线圈式氧化铝陶瓷构造和胶囊形保护构造。
Chapter 3
如何选择R800-6和R800-7?
基本的选择点是所需的最低测量温度。如果需要测量到4K附近，可以考虑R800-6;如果可以从15K开始测量，可以考虑R800-7。
| 型式 | 测量温度 | 选择标准 |
|---|---|---|
| R800-6 | 4K~375K | 想要测量到4K附近时 |
| R800-7 | 15K~375K | 以15K以上为主要测量范围时 |
在实际选择中，建议您不仅要检查所需的温度范围，还要检查安装条件、使用的测量仪器、测量方法、校准方法等。
Chapter 4
R800-6 和 R800-7 的规格
| 条目 | 规格 |
|---|---|
| 感温元件 | 铂钴稀合金 |
| 测量温度 | R800-6：4K 至 375K R800-7：15K 至 375K |
| 0°C电阻值 | 100Ω±0.15Ω |
| 容许公差 | ±0.5 |
| 规定电流 | 1mA DC |
| 灵敏度 | Min 0.09Ω/K(at 12K)~Max. 0.40Ω/K |
| 重复性 | 10mK以内 |
| 感温结构 | 螺旋盘管式氧化铝陶瓷结构 |
| 保护管 | 胶囊形镀金黄铜φ2×23mm |
| 导线 | 4导线式聚酯包覆铜导线φ0.2×L1000mm |
有关详细规格和最新文档，请参阅R800-6 和 R800-7 的产品信息。
Chapter 5
如何看待精密测量和校正
在极低温区域，可能需要精确测量微小的温度变化。R800-6、R800-7采用4导线式，适用于直流电位差计等的精密测量。
与测量仪器的组合
R800-6、R800-7备有专用指示计、记录计、调节计。不仅是传感器单体，还可以探讨包括测量仪器在内的构成。
He点组合校正
在He点上，可组合传感器和仪表进行校正。对于在极低温区域使用的测量系统，重要的是不仅要研究传感器，还要研究测量中使用的仪器和校正方法。
关于校对的基本思想，请参阅什么是校对?请参阅。
