Chapter 1

什么是半导体制造中的成品率?

半导体制造中的成品率是观察在制造的产品和晶圆中,达到要求品质的合格产品的程度的重要指标。

如果产量下降,即使在相同产量下获得的好产品也会减少,从而导致材料,设备操作,能源,时间等的损失。因此,在半导体制造中,重要的是不仅要检测缺陷,还要掌握和改善导致缺陷的工艺条件。

仅靠最终检查是无法知道原因的

虽然通过最终检查可以发现不良品,但仅凭其结果有时无法判断“在哪个工序”“何时”“发生了什么变化”。

为了跟踪原因,重要的是测量制造过程中发生的状态变化并将其作为数据保留。

在提高产量时,重要的是不仅要“在缺陷发生后寻找原因”,还要“是否可以捕获导致过程中缺陷的状态变化”。

Chapter 2

成品率难以提高的原因

即使我们知道产量下降,除非我们能够确定导致它的过程和条件,否则我们无法改进。特别是在涉及许多步骤的半导体制造中,原因和结果可能是分开的。

最终检查只知道“结果”

即使检测到故障,也可能无法跟踪导致故障的状态更改发生在哪个工序中。

难以捕捉工程中的状态变化

设备和晶片的状态在过程中也会发生变化。如果没有测量所需的状态,以后很难看到变化。

多个条件同时变化

质量不仅与一个条件有关,还与设备状态、加工条件、温度等多种因素有关。为了区分原因,留下工序数据很重要。

原因和结果之间存在时间差

工序中发生的变化可能在后期工序或最终检验中首次表现为缺陷。能够以时间序列确认工序状态的数据是调查原因的线索。

Chapter 3

温度不均与CMP·研磨工序的关系

在半导体制造中,存在结晶成长、扩散、CVD、热处理等温度条件与工序状态相关的情况。在CMP·研磨工序中,通过测量研磨过程中的温度变化和温度不均,可为掌握加工过程中的状态提供线索。

在CMP·研磨工序中很难看到加工中的状态

尽管研磨后对晶圆的检查有助于确定其最终状态,但在研磨过程中发生的变化可能仅通过完成后的检查来确定。

因此,有一种想法是实时测量抛光过程中的温度变化,并将其用作确认加工状态的信息。

仅凭一点温度是无法捕捉到温度不均的

如果只测量一个位置,则可能无法了解磨料表面不同位置的温度差异。根据要检查的温度范围,考虑测量方法和测量位置很重要。

Measure

测量温度变化

测量抛光过程中的温度,以了解加工过程中发生的变化。

Visualize

了解温度不均

根据测量对象和测量方法,确认只测量一点无法看到的温差。

Compare

与工序条件比较

将温度数据与加工条件和质量结果进行对照,作为调查原因和改善工序的材料。

半导体晶片表面抛光的温度测量

CHINO提出了一种测量方法,用于掌握半导体晶圆表面抛光过程中的温度测量过程中的温度变化和温度不均匀性。

看半导体晶片表面研磨温度测定

Chapter 4

为什么实时监控有助于提高产量

如果您可以实时检查过程中的状态,您不仅可以等待最终检查的结果,还可以掌握处理过程中发生的变化。

尽早发现异常的征兆。

如果您了解正常温度变化,当发生与平时不同的变化时,您将更容易注意到。

按时间顺序保留工序数据

通过记录温度历史记录,您可以在出现质量问题时查看制造过程中发生的状态变化。

比较质量结果和工序状态

通过将温度数据与质量结果进行比较,可以了解特定温度变化与质量状态之间的关系。

比较改善前后

通过比较改变工艺条件前后的温度数据,可以确认改进措施如何改变工艺状态。

了解有关记录和监控的更多信息

Chapter 5

通过温度测量系统掌握工程状态

为了利用温度数据来提高产量,重要的是不仅要测量温度,还要记录温度,监测变化,并将其与质量结果和工艺条件进行比较。

角色 确认 用途
测量 测量对象、测量位置、温度范围、测量方式 掌握工程中的温度状态
记录 温度历史记录、测量周期、保存方法 允许以后检查工序状态
监视 正常状态,异常情况下的变化,实时显示 更容易注意到过程中的变化
比较 加工条件、温度数据和质量结果 作为原因分析和改善研究的材料

仅凭温度数据并不能确定成品率的原因

由于成品率与多种因素有关,因此不能仅凭温度数据来判断故障原因。温度作为掌握工序状态的信息之一,与设备条件、加工条件、质量结果等一起进行确认非常重要。

从半导体测量整体来考虑

在半导体制造中,除了温度之外,还对每个过程进行各种测量,例如尺寸,膜厚,缺陷,电气特性,温度和湿度。在提高成品率时,重要的是结合必要的工程信息来考虑,而不是只看一个测量值。

什么是半导体测量?半导体制造工程中必要的测量装置、测量仪器和温度管理

Chapter 6

考虑温度测量时您想要组织的内容

在CMP·研磨过程中考虑温度测量时,首先要组织您想要掌握的内容。

确认项目 想整理的内容
目标工序 在哪里测量CMP、抛光或其他过程?
测量对象 您想检查什么温度,如晶圆,抛光表面,设备,外围部件?
要检查的症状 温度上升、温度不均、时间变化、异常时的变化等。
测量速度 您希望以多长时间间隔检查更改?
记录 实时显示是否足够,还是需要保留历史记录?
与质量数据的比较 您希望将测量的温度与哪种质量结果或工艺条件进行比较?

Further reading

通过资料确认成品率改善的想法

有关成品率下降的根本原因假设,温度不均与CMP/抛光之间的关系,实时监控的必要性以及CHINO抛光过程的温度测量系统的详细信息,请参阅PDF文档。

提高半导体制造成品率的途径

是从工程中的状态把握和温度测量的观点出发,整理的关于成品率改善的资料。

下载PDF文档

提高半导体制造成品率之路的资料封面

在网页上查看摘要,以获取更多信息。

FAQ

常见问题

半导体制造的成品率是什么?

是用于观察在制造的产品和晶片中,能得到多少满足要求品质的良品的指标。为了改善成品率,不仅是不良结果,掌握工程中的状态也很重要。

测量温度就能知道成品率的原因吗?

仅凭温度不能断定原因。温度是确认工程状态的信息之一。通过对加工条件、设备状态、质量结果等进行确认,可用于原因调查和改善研究。

测量温度不均的优点是什么?

仅凭一点的温度很难把握,可以确认测量对象内的温度差。通过将温度分布和时间变化与工序条件进行比较,可用作掌握状态的信息。

CMP·研磨工序也可以测量温度吗?

根据测量对象和设备条件,您可以研究在抛光过程中测量温度变化和温度不均的方法。CHINO提出了半导体晶片表面研磨工序中的温度测量。

看半导体晶片表面研磨温度测定

为什么要进行实时监视?

为了当场确认工程中发生的温度变化,掌握与平时的差异和异常的征兆。记录的数据也可用于以后确认原因。

关于半导体制造的温度测量进行商谈

从CMP、研磨工序、测量对象、温度范围、想要测量的现象、是否需要记录、监视等,探讨符合用途的温度测量方法。

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